باتری گوشی هوشمندی که یک هفته دوام می آورد! - وبلاگ فروش

به گزارش وبلاگ فروش، شرکت سامسونگ الکترونیکس کره جنوبی و آی بی ام، غول فناوری آمریکایی در همکاری مشترکی پیروز به توسعه تراشه جدیدی شدند که با فناوری منحصر بفرد خود می تواند مصرف انرژی را به طرز قابل توجهی کاهش و عمر باتری دستگاه را به یک هفته افزایش دهد.

به گزارش وبلاگ فروش، IBM و سامسونگ آخرین پیشرفت خود را در طراحی نیمه هادی ها اعلام نموده اند که روشی نوی برای قرار دادن ترانزیستور ها به صورت عمودی روی یک تراشه -به جای قرار گرفتن افقی روی سطح نیمه هادی ها- است.

طراحی نو ترانزیستور های اثر میدان انتقال عمودی (VTFET)، نسخه ای پیشرفته تر در فناوری فعلی FinFET است که در بعضی از پیشرفته ترین تراشه های امروزی استفاده می گردد و می تواند به تراشه هایی اجازه دهد که حتی متراکم تر از ترانزیستور های امروزی بسته بندی شوند. در اصل، طراحی نو ترانزیستور ها را به صورت عمودی روی هم قرار می دهد و اجازه می دهد تا جریان به جای طرح افقی کنار به پهلو که در حال حاضر در بیشتر تراشه ها استفاده می گردد، از پشته ترانزیستور ها بالا و پایین جریان یابد.

اگرچه ما هنوز با استفاده از طرح های VTFET که می تواند در تراشه های واقعی استفاده گردد، فاصله داریم، این دو شرکت ادعا های بزرگی را مطرح می نمایند و خاطرنشان می نمایند که تراشه های VTFET می توانند دو برابر بهبود عملکرد یا کاهش 85 درصدی مصرف انرژی را ارائه دهند. با توجه به فناوری کنونی FinFET و با تأکید بر بسته بندی ترانزیستور های بیشتر در تراشه ها، IBM و سامسونگ ادعا می نمایند که فناوری VTFET می تواند به هدف قانون مور برای افزایش پیوسته تعداد ترانزیستور ها یاری کند.

آی بی ام و سامسونگ بعلاوه به بعضی موارد استفاده بلندپروازانه از فناوری نو اشاره می نمایند و ایده باتری های تلفن همراه که می توانند بیش از یک هفته بدون شارژ به جای چند روز شارژ شوند، استخراج ارز های دیجیتال با انرژی کمتر یا رمزگذاری داده ها و حتی دستگاه های قدرتمندتر اینترنت اشیا یا فضاپیماها، را مطرح می نمایند.

IBM قبلاً اولین تراشه 2 نانومتری خود را در اوایل امسال به نمایش گذاشته بود، که راستا متفاوتی را برای جمع کردن ترانزیستور های بیشتر با افزایش مقداری که می تواند روی یک تراشه با استفاده از طراحی FinFET موجود انجام دهد، در پیش می گیرد. با این حال، VTFET می خواهد همه چیز را دگرگون کند، ولی احتمالاً هنوز فاصله زیادی با زمانی داریم که تراشه های مبتنی بر آی بی ام و آخرین فناوری سامسونگ به بازار راه یابند.

با این همه، این دو غول فناوری دنیا تنها شرکت هایی نیستند که در صدد دگرگون کردن فناوری تراشه هستند. شرکت اینتل در تابستان امسال پیش نمایش طراحی RibbonFET را معرفی کرد که قرار است جانشین پیشنهادی این شرکت برای فناوری فعلی فراوری FinFET باشد. این فناوری قرار است بخشی از نسل 20A محصولات نیمه رسانای اینتل باشد که قرار است فراوری خود را در سال 2024 شروع کند. این شرکت بعلاوه اخیراً برنامه خود را برای فناوری ترانزیستور های انباشته به عنوان جانشین بالقوه RibbonFET در آینده نیز اعلام نموده است.

منبع: theverge

ترجمه: مصطفی جرفی-وبلاگ فروش